Подробности Snapdragon 835 накануне анонса Qualcomm на CES 2017
Подробности Snapdragon 835 накануне анонса Qualcomm на CES 2017
Qualcomm сообщила, что озвучит подробности нового чипсета Snapdragon 835 на выставке CES 2017, которая стартует в Лас-Вегасе уже на этой неделе. На данный момент известно, что он будет построен на 10-нм архитектуре FinFET, а разработка ведется при активной поддержке Samsung (автора первого в мире 10-нм чипа). Сегодня состоялась утечка, благодаря которой мы знаем все остальные подробности этого чипсета. Итак, нас ждет восьмиядерный CPU, построенный на энергоэффективной архитектуре Kryo 280. Она предусматривает квартет «сильных» ядер с пиковой частотой 2,45 ГГц и еще четыре ядра с заниженным энергопотреблением и частотой 1,9 ГГц. Сопровождается он графическим ускорителем Adreno 540 с поддержкой DX12, OpenGL и инструментов Vulkan, высокоскоростным сетевым модулем LTE X16, аудиочипом Qualcomm Aqstic Audio, обновленных чипом Hexagon DSP и Spectra ISP. Особенностью Snapdragon 835 стали также сниженные габариты, что позволит производителям прибавить в емкости аккумуляторной батареи при этом не жертвуя толщиной. Ожидается, что первым устройством на новом флагмане станет Samsung Galaxy S8, а затем настанет черед Xiaomi Mi6. Через несколько дней все это будет озвучено официально