Na rynku półprzewodników widać rzadkie połączenie — bardzo szybki wzrost popytu i jednocześnie realne bariery podażowe. Trening i inferencja modeli AI dławią się na ograniczeniach w pamięci. Akceleratory obliczeniowe wykonują obliczenia szybciej niż klasyczna pamięć DRAM nadąża z dostarczaniem danych. To powoduje wyskokowy popyt na HBM, czyli wysokoprzepustową pamięć układaną warstwowo i łączoną z układami logicznymi przez zaawansowane pakowanie typu 2.5D (np. CoWoS w TSMC). I właśnie te pamięci to dziś duża okazja dla inwestorów.
