Sandisk и SK hynix объединяют усилия для стандартизации флэш-памяти с высокой пропускной способностью — альтернативы HBM на базе NAND для графических процессоров ИИ.
В отличие от традиционного HBM, который использует исключительно DRAM, HBF заменяет часть стека памяти флэш-памятью NAND, жертвуя скоростью передачи данных ради значительно большей ёмкости и энергонезависимости. Такой подход позволяет HBF обеспечить в 8–16 раз большую ёмкость, чем HBM на основе DRAM, при сопоставимых затратах и при этом сохранить аналогичный уровень пропускной способности. В отличие от DRAM, которой для сохранения данных требуется постоянное питание, NAND является энергонезависимой, что обеспечивает постоянное хранение данных при меньшем энергопотреблении.
Это различие имеет решающее значение, поскольку ИИ-вычисления становятся всё более энергозатратными. Гиперскейлеры (компании, предоставляющие в аренду обширную облачную инфраструктуру) теперь переносят ИИ-вычисления на периферию, и бюджеты на охлаждение в центрах обработки данных ИИ уже достигли практического предела.
Пару лет назад в широко обсуждаемой научной статье под названием «LLM во флэш-памяти» была предложена архитектура, в которой большие языковые модели могут эффективно работать за счёт использования твердотельных накопителей в качестве дополнительного уровня памяти, что частично снимает нагрузку с оперативной памяти. Таким образом, объединив высокую ёмкость флэш-памяти NAND с интерфейсом, созданным с учётом пропускной способности HBM, компании Sandisk и SK hynix фактически предлагают новый класс памяти, который может поддерживать вывод данных для больших моделей без тепловых и финансовых издержек, характерных для традиционных стеков HBM.
Этот шаг также согласуется с более масштабными изменениями в отрасли. Например, компания Samsung недавно представила собственный уровень хранения данных для искусственного интеллекта на базе флэш-памяти под названием PBSSD и активно работает над HBM4 DRAM следующего поколения, который, как ожидается, будет включать интеграцию логических микросхем и, возможно, гибридные стеки. Между тем дорожная карта Nvidia в отношении графических процессоров Rubin и Vera по-прежнему в значительной степени опирается на HBM, а интеграция флэш-памяти может обеспечить масштабирование памяти без линейного увеличения стоимости и энергопотребления. Чтобы узнать больше, ознакомьтесь с нашими подробными планами развития HBM для Samsung, Micron и SK hynix.
Прототип HBF от Sandisk, представленный на саммите Flash Memory Summit 2025, был разработан с использованием запатентованных технологий соединения пластин BiCS NAND и CBA. На мероприятии компания получила награду «Самая инновационная технология» и объявила о создании Технического консультативного совета для руководства разработкой HBF и стратегией экосистемы. В совет входят как сотрудники Sandisk, так и сторонние специалисты, что подчёркивает намерение компании сделать HBF межотраслевым стандартом, а не просто запатентованным продуктом.
Сообщение Sandisk и SK hynix объединяют усилия для стандартизации флэш-памяти с высокой пропускной способностью — альтернативы HBM на базе NAND для графических процессоров ИИ. появились сначала на Время электроники.