ASML обновила своей же рекорд плотности транзисторов - теперь он 8 нм
На конференции было объявлено, что на оборудовании High-NA EUV удалось напечатать линии с плотностью 8 нм, что является рекордом для производственного сканера. Предыдущий рекорд был установлен всего месяц назад, когда компания смогла напечатать линии с плотностью 10 нм в лаборатории в Вельдховене, Нидерланды. Для сравнения, стандартные машины Low-NA EUV от ASML способны печатать элементы размером до 13,5 нм.
Читать дальше...