В Японии научились создавать микросхемы нового поколения с тонкими пленками металла
Проблему появления физического напряжения в слоях металла на кристаллах кремния при создании микросхем смогли решить специалисты из Японии.
Напряжение можно снять, если нагреть металл до конкретной температуры, однако для этого важно учесть некоторые детали, рассказали ученые Токийского столичного университета. Прогрев должен осуществляться с той силой, которая применяется при изготовлении тугоплавких металлов. Кристаллы кремния не могут выдержать таких показателей и приходят в негодность, передает портал 3DNews.
Эксперименты японских ученых помогли создать новую технологию нанесения металла с низким напряжением в слоях. Для этого необходимо осаждать металл с задержкой посыла импульса смещения на подложку в 60 микросекунд. Это рекордно низкий показатель, однако он помогает создавать в вольфрамовой пленке напряжение 0,03 Гпа. Благодаря этому ученые научатся создавать микросхемы нового поколения.