Награду CES 2018 Innovation получила память Samsung GDDR6
Проблема ограниченной пропускной возможности графической памяти GDDR5 в своё время привела к поступлению графических адаптеров и HPC-ускорителей с буферной памятью HBM (HBM1) и позднее — HBM2. Соединение графического ядра и кристаллов High Bandwidth Memory через промежуточный кремниевый слой позволило как повысить пропускную способность подсистемы памяти, так и существенно уменьшить площадь, занимаемую главными элементами видеокарты. В то же время и недочетов у решений с HBM/HBM2 оказалось много... Читать дальше...