Samsung разрабатывает технологию упаковки чипов в 3D-TSV с 12 слоями
Компания Samsung Electronics Co., Ltd., мировой лидер в области передовых полупроводниковых технологий, объявила о разработке первой в отрасли 12-слойной технологии 3D-TSV (Through Silicon Via). Новая инновация считается одной из самых сложных технологий упаковки для массового производства высокопроизводительных чипов, поскольку она требует точности для вертикального соединения 12 микросхем DRAM через трехмерную конфигурацию из более чем 60000 отверстий TSV.
Толщина упаковки (720 мкм) остается такой же, как у современных 8-слойных продуктов High Bandwidth Memory-2 (HBM2), что является существенным преимуществом в разработке компонентов. Это поможет клиентам выпускать продукты нового поколения с высокой пропускной способностью и бол