Micron работает над вторым поколением 3D XPoint и совсем новым типом памяти
1-ые коммерческие твердотельные накопители, основанные на не так давно анонсированной энергонезависимой памяти 3D XPoint, ещё не появилась на рынке, но компании Intel и Micron Technology уже работают над вторым поколением памяти данного типа. Кроме этого, Micron разрабатывает стопроцентно новую технологию, которая обещает уменьшить разницу в производительности между динамической памятью с произвольным доступом (dynamic random access memory, DRAM) и энергонезависимой памятью.
Компания Micron Technology рассказала на Intel Developer Forum ранее в этом месяце, что ведёт разработку второго поколения 3D XPoint, второго поколения мультислойной трёхмерной NAND флеш-памяти (3D NAND), также некоего принципиально нового типа памяти, подробности о котором не раскрываются. Micron сотрудничает с Intel в разработке 3D XPoint и 3D NAND, но не ясно, работают ли компании вместе и над новой технологией, известной как New Memory B Gen 1 (новая память «Б» первого поколения).
2-ое поколение памяти 3D XPoint будет представлено в 2016 году, как и 2-ое поколение 3D NAND. Ожидается, что новый тип памяти «Б» будет анонсирован в 2017 году.
Различия между первым и вторым поколениями 3D XPoint неизвестны. 1-ая реализация 3D XPoint обещает быть в 10-ки либо сотни раз быстрее обыкновенной NAND флеш-памяти исходя из убеждений скорости доступа к данным (латентности) и скоростей записи и чтения. Кроме этого, 3D XPoint обладает более долгим сроком службы в сравнении с NAND благодаря большей износоустойчивости её ячеек памяти. Все же, одна из вещей, где NAND превосходит новый тип памяти - это ёмкость. Современное NAND-устройство может хранить 256 Гбит данных, тогда как 1-ые микросхемы 3D XPoint будут иметь ёмкость в 128 Гбит. Вероятнее всего, что в случае со вторым поколением разработчики сосредоточатся на увеличении плотности записи, а не на существенном увеличении производительности (впрочем, при увеличении плотности вырастет и производительность). Более большие ёмкости чипов 3D XPoint посодействуют сделать накопители на их базе дешевле в пересчёте на гб данных, что расширит их способности на рынке.
Хотя 3D XPoint быстрее, чем NAND, DRAM на порядок превосходит новый тип памяти по части скорости доступа и значительно опережает по части пропускной возможности. В Micron считают, что латентность энергонезависимой памяти - серьёзный вызов для всех типов новых технологий памяти.
Скотт Грэм (Scott Graham), генеральный менеджер подразделения Micron, занимающегося разработкой гибридных типов памяти, рассказал на IDF, что главной отличительной особенностью New Memory B gen 1 станет увеличенная производительность в сравнении с 3D XPoint. Новая память «Б» первого поколения относится к возникающему классу памяти накопителей (storage class memory), который соединяет внутри себя высокую плотность записи, энергонезависимость и производительность. Видимо, новый тип уменьшит разрыв в производительности энергонезависимой памяти с DRAM, что поможет решать новые вызовы в промышленности.
«По мере того, как мы разрабатываем новые технологии памяти и обучаемся на 3D XPoint, мы получаем возможность развивать 3D XPoint дальше», - заявил господин Грэм во время презентации. «В будущем мы представим следующие версии этой технологии и другие технологии, которые могут вписаться в наш многообещающий план [для решения вызовов индустрии]».
Micron, как ожидается, представит свои продукты на базе первого поколения 3D XPoint в наиблежайшие пару месяцев и начнёт их поставки в 2016 г. 2-ое поколение 3D XPoint будет анонсировано в будущем году, но попадёт на рынок только в 2017-м. Про память New Memory B Gen 1 известно очень не достаточно, но, если она будет официально представлена в 2017 г., то её возникновение на рынке в виде коммерческих устройств можно ждать кое-где в 2018-2019 годах. Беря во внимание, что новая память «Б» первого поколения будет обладать увеличенной производительностью, для её коммерциализации будет нужно создание и внедрение новых интерфейсов передачи данных, что может «отодвинуть» её общее использование на 2019-2020 годы.
Святой Грааль компьютерной памяти - энергонезависимая память с производительностью DRAM. Такой тип памяти навряд ли появится на рынке в скором будущем, так как независимо от того, как быстро развивается энергонезависимая память, DRAM не стоит на месте. Впрочем, может быть, случится волшебство и в наиблежайшие годы мы увидим прорыв в обозначенном направлении…
HPC Wire KitGuru.net Micron Technology