SK Hynix официально представила 238-слойную память
Компания SK Hynix официально объявила, что начала массовое производство своих 238-слойных чипов памяти NAND 4D (фактически это формат 3D, только модифицированный), которые обещают обеспечить более высокую производительность и ёмкость твердотельных накопителей будущего поколения. Новые чипы имеют скорость передачи данных 2400 MT/сек (не путать с МБ/сек) и могут использоваться для создания следующего поколения накопителей с высокой скоростью, которые будут оснащены интерфейсом PCIe 5.0 x4. С точки зрения проиводительности на бумаге основным преимуществом 238-слойной TLC NAND 4D-памяти от SK Hynix является скорость интерфейса в 2400 MT/сек — это увеличение на 50% по сравнению с предыдущим поколением.
И этот прирост