EUV-литография придет в массы с 7-нм техпроцессом
Компания ASML, ведущий мировой разработчик технологического оборудования для литографии, а именно, проекционных установок шагового мультиплицирования, поделилась своими взглядами на развитие техпроцесса производства интегральных микросхем в не далеком будущем. По её словам, до сих подавляющее большая часть чипмейкеров при изготовлении 10-нм схем предпочитают использовать классическую иммерсионную фотолитографию. Разработка литографии с применением крайнего уф-излучения уже который год всегда откладывает свой приход на рынок. И для этого есть причины.
Основным фактором, который позволяет до этого времени использовать иммерсионную фотолитографию, является относительно низкая цена технологического оборудования и всего процесса в целом. Так, к примеру, приблизительная цена EUV-степперов составляет от $100 до $120 млн, что в два раза выше ценников на "иммерсионные" установки мультиплицирования. Справедливости ради необходимо отметить, что EUV-оборудования является модульным, другими словами позволяет совершать его апдейт по низкой цене, а не получать на сто процентов новые установки. Но этого очевидно недостаточно для того, чтоб серьезно заинтриговать чипмейкеров, которым пока техпроцесс с использованием иммерсионной литографии пока обходится дешевле "экстремального ультрафиолета".
Ситуация должна поменяться уже с приходом в массы 7-нм технологического процесса. Но поначалу производители интегральных микросхем опробуют способности EUV-оборудования на 10-нм технологии. Топологический размер в 10 нанометров для более ответственных операций литографии потребует многократного проецирования изображения на пластину - три либо даже четыре повторения. Как следует, растут расходы на проведение технологического процесса, что ведёт к удорожанию конечной продукции. Вот именно в данном случае чипмейкерам придется внимательнее прицениваться к EUV-литографии. Понижение себестоимости технологического процесса станет более значимым фактором, ежели большие цены на оборудование.
Когда же дело дойдёт до производства 7-нм интегральных схем, тогда иммерсионная литография вполне станет невыгодной. Для отдельных слоев количество итераций возрастёт до 13-ти при использовании иммерсионных степперов. Технологическое оборудование с применением крайнего ультрафиолета станет единственно вероятным вариантом, позволяя выпускать до 1000 кремниевых пластин в день. Естественно, на пути победного шествия EUV-технологии ещё есть ряд препятствий, начиная от отсутствия достаточно надёжных и массивных источников излучения, заканчивая необходимостью конструктивного понижения дефектности фотошаблонов и необходимостью поиска новых резистов. Но в итоге, технологические и технические трудности наверное будут преодолены, и EUV-литография займет доминирующее положение на рынке. И точкой отсчета станет переход на 7-нм техпроцесс.
Теги: asml, euv, литография, иммерсионная литография