Представлен мощный и экономичный микропроцессор Snapdragon 835 для смартфонов премиум класса

После большого количества слухов и утечек, сегодня компания Qualcomm анонсировала свое новое поколение флагманских микропроцессоров Snapdragon 835. Правда, чипмейкер предпочел не озвучивать все свойства нового продукта. Qualcomm ограничилась озвучиванием того, что Snapdragon 835 будет изготавливаться по нормам 10 нм техпроцесса FinFET от Samsung.

Прирост производительности новинки в сравнении с предшественником 14-нм Snapdragon 821 составил 27%. Обещано уменьшение употребления энергии на 40%. Очередной важной особенностью Snapdragon 835 станет поддержка технологии быстрой зарядки Quick Charge 4.0. Компания заверяет, что 5 минут заряда посредством новой ультрабыстрой зарядки будет достаточно, что обеспечить длительность работы устройства до 5 часов. Впечатляюще смотрится заявление, что через 15 минут заряда ресурс аккумулятора на 2750 мАч будет восполнен на 50%. В сравнении с предшествующим поколением быстрой зарядки Quick Charge 3.0, новая технология дает прирост скорости на 20% и при всем этом на 30% эффективнее. В Quick Charge 4.0 имеется 4-х уровневая защита от перегрева во время зарядки и реализована технология INOV, которая возьмет на себя автоматическую оптимизацию зарядки, чтоб не допустить превышения температурного режима. 1-ые смартфоны с новым чипом выйдут в первой половине следующего года.