TSMC создает новую магниторезистивную память с радикально меньшим энергопотреблением и лучшим быстродействием
Теоретически SOT-MRAM имеет множество преимуществ, которые позволяют использовать ее для кэшей и приложений в памяти. SOT-MRAM потенциально может обеспечить более высокую плотность, чем SRAM, которая едва масштабируется с учетом новейших производственных технологий. Будучи энергонезависимjq, онf также не потребляет энергию, когда не используется (в отличие от SRAM), что полезно как для центров обработки данных, так и...
Читать дальше...